ウェーハレーザー切断機
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ウェーハレーザー切断機

ウェーハレーザー切断機は、8-インチ以上のチップシーリングおよびテストプラントの半導体産業におけるシリコンベースのウェーハのレーザー修飾と切断に使用されます。
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製品説明

製品の利点:

高品質

表面に損傷はなく、切断縫い目はなく、エッジの崩壊は非常に小さく(2μm以下)、エッジは小さく(< 3 μ m)

高効率

マルチフォーカス変更モードを採用して、切断効率を掛けることができます

良好な安定性

レーザーは、平均電力安定性が高い(24時間で±3%以下)、ビーム品質が高い(m²<1.5)

Wafer Cutting machine

アイテム

主なパラメットター

レーザ

中心波長

カスタム赤外線波長

ヘッドを切る

自己開発のコリメートヘッド

パフォーマンス

効果的な作業ストローク

300x400mm(オプション)

反復ポジショニングの精度

±1μm

視覚的なポジショニング

自動視覚的ポジショニング

処理方法

レイヤーバイレイヤーアップグレード、シングルポイント /マルチポイント処理

その他

ウェーハサイズ

8インチ(12インチが互換性があります)

処理プロセス

レーザー修正切断 - フィルム拡散

オブジェクトの処理

MEMSチップ、シリコンベースのバイオチップ、シリコン小物チップ、CMOSチップなど

 

シリコンウェーハダイシング:

統合回路のための200mm/300mmシリコンウェーハの精密切断(IC)

ダイシングプロセス中にチッピングと欠陥を最小限に抑えます

MEMSデバイス製造:

マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)のための超高度レーザースクリビング

薄膜センサーとアクチュエーターに適しています

ICパッケージ:

高度なパッケージング技術の正確なダイ分離(ファンアウト、3Dスタッキング)

太陽電池生産:

シリコンおよび複合半導体材料と互換性があります

 

ユニークなセールスポイント:

  • 非接触切断:機械的ストレスと汚染を回避します
  • リアルタイム監視:AI搭載システムは、処理中に欠陥を検出します
  • エネルギー効率:従来の切断方法と比較した低消費電力
  • カスタマイズ可能なパラメーター:調整可能なレーザー出力とパルス周波数

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wafer sample

製品のFAQ:

 

Q1:このレーザーカッターが半導体アプリケーションで処理できる最大ウェーハサイズはどのくらいですか?

A:当社の機器は、最大300mm x 300mmまでのウェーハをサポートしているため、大規模なICおよびMEMS生産に最適です。

 

Q2:レーザー切断は、シリコンウェーハの熱損傷をどのように最小限に抑えますか?

A:正確なパルス制御とリアルタイム温度モニタリングを備えた1064nmファイバーレーザーを使用して、1μm未満の熱性ゾーン(HAZ)を確保し、ウェーハの完全性を保護します。

 

Q3:機器は半導体ファブのクリーンルーム環境と互換性がありますか?

A:はい!当社のマシンは、ISOクラス1000クリーンルームの標準を満たしており、ICパッケージとMEMSの製造用の汚染抵抗性デザインを特徴としています。

 

Q4:ウェーハレーザー切断システムは、GAASやクォーツなどの非サイリ​​コン材料を処理できますか?

A:絶対に。このシステムは、シリコン、クォーツ、ガラス、およびGAAと互換性があり、フォトニクスおよび複合半導体製造における多様なアプリケーションをサポートしています。

 

Q5:大量のウェーハダイシングの典型的なスループットは何ですか?
A:私たちと自動アライメントシステム、マシンが達成します
500ウェーハ/時間
(パターンの複雑さによって異なります)、半導体ファブの効率的な生産を確保します。

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