ウェーハレーザー切断機
製品の利点:
高品質
表面に損傷はなく、切断縫い目はなく、エッジの崩壊は非常に小さく(2μm以下)、エッジは小さく(< 3 μ m)
高効率
マルチフォーカス変更モードを採用して、切断効率を掛けることができます
良好な安定性
レーザーは、平均電力安定性が高い(24時間で±3%以下)、ビーム品質が高い(m²<1.5)

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アイテム |
主なパラメットター |
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レーザ |
中心波長 |
カスタム赤外線波長 |
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ヘッドを切る |
自己開発のコリメートヘッド | |
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パフォーマンス |
効果的な作業ストローク |
300x400mm(オプション) |
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反復ポジショニングの精度 |
±1μm |
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視覚的なポジショニング |
自動視覚的ポジショニング |
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処理方法 |
レイヤーバイレイヤーアップグレード、シングルポイント /マルチポイント処理 | |
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その他 |
ウェーハサイズ |
8インチ(12インチが互換性があります) |
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処理プロセス |
レーザー修正切断 - フィルム拡散 | |
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オブジェクトの処理 |
MEMSチップ、シリコンベースのバイオチップ、シリコン小物チップ、CMOSチップなど | |
シリコンウェーハダイシング:
統合回路のための200mm/300mmシリコンウェーハの精密切断(IC)
ダイシングプロセス中にチッピングと欠陥を最小限に抑えます
MEMSデバイス製造:
マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)のための超高度レーザースクリビング
薄膜センサーとアクチュエーターに適しています
ICパッケージ:
高度なパッケージング技術の正確なダイ分離(ファンアウト、3Dスタッキング)
太陽電池生産:
シリコンおよび複合半導体材料と互換性があります
ユニークなセールスポイント:
- 非接触切断:機械的ストレスと汚染を回避します
- リアルタイム監視:AI搭載システムは、処理中に欠陥を検出します
- エネルギー効率:従来の切断方法と比較した低消費電力
- カスタマイズ可能なパラメーター:調整可能なレーザー出力とパルス周波数



製品のFAQ:
Q1:このレーザーカッターが半導体アプリケーションで処理できる最大ウェーハサイズはどのくらいですか?
A:当社の機器は、最大300mm x 300mmまでのウェーハをサポートしているため、大規模なICおよびMEMS生産に最適です。
Q2:レーザー切断は、シリコンウェーハの熱損傷をどのように最小限に抑えますか?
A:正確なパルス制御とリアルタイム温度モニタリングを備えた1064nmファイバーレーザーを使用して、1μm未満の熱性ゾーン(HAZ)を確保し、ウェーハの完全性を保護します。
Q3:機器は半導体ファブのクリーンルーム環境と互換性がありますか?
A:はい!当社のマシンは、ISOクラス1000クリーンルームの標準を満たしており、ICパッケージとMEMSの製造用の汚染抵抗性デザインを特徴としています。
Q4:ウェーハレーザー切断システムは、GAASやクォーツなどの非サイリコン材料を処理できますか?
A:絶対に。このシステムは、シリコン、クォーツ、ガラス、およびGAAと互換性があり、フォトニクスおよび複合半導体製造における多様なアプリケーションをサポートしています。
Q5:大量のウェーハダイシングの典型的なスループットは何ですか?
A:私たちと自動アライメントシステム、マシンが達成します500ウェーハ/時間(パターンの複雑さによって異なります)、半導体ファブの効率的な生産を確保します。
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